2005年当选为中国科学院院士，材料物理专家。中国科学院物理研究所研究员、清华大学教授，副校长。1963年12月19日生于山东蒙阴。1984年毕业于山东大学光学系，1990年、1994年先后获中国科学院物理研究所硕士、博士学位。

长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO薄膜生长动力学研究,发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象开展了有序纳米结构的自组织生长研究，发明了若干原子尺度精确控制生长技术，解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。